| Artikelnummer | IRF510SPBF |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 5.6A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 180pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 3.7W (Ta), 43W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 540 mOhm @ 3.4A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | D2PAK |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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IRF500 | EXSHINE | 50W to 500W HIGH POWER WIRE WOUND RESISTORS FLAT SHAPED ALUMINUM HOUSED | Einzelheiten |
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IRF500C10RJ | EXSHINE | 50W to 500W HIGH POWER WIRE WOUND RESISTORS FLAT SHAPED ALUMINUM HOUSED | Einzelheiten |
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IRF510 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB | Einzelheiten |
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IRF510PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB | Einzelheiten |
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IRF510S | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | Einzelheiten |
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IRF510SPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | Einzelheiten |
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IRF510STRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | Einzelheiten |
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IRF510STRLPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | Einzelheiten |
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IRF510STRR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | Einzelheiten |
