2N7002E-T1-E3

2N7002E-T1-E3 - Vishay Siliconix

Artikelnummer
2N7002E-T1-E3
Hersteller
Vishay Siliconix
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT-23
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
2N7002E-T1-E3 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
277500 pcs
Referenzpreis
USD 0.2387/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern 2N7002E-T1-E3

2N7002E-T1-E3 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer 2N7002E-T1-E3
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 240mA (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 0.6nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 21pF @ 5V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 350mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 250mA, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23-3 (TO-236)
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gewicht -
Ursprungsland -

VERWANDTE PRODUKTE FÜR 2N7002E-T1-E3