TK90S06N1L,LQ

TK90S06N1L,LQ - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer
TK90S06N1L,LQ
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
27136 pcs
Referenzpreis
USD 0.9653/pcs
Unser Preis
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TK90S06N1L,LQ detaillierte Beschreibung

Artikelnummer TK90S06N1L,LQ
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 90A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 500µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 81nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5400pF @ 10V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 157W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 3.3 mOhm @ 45A, 10V
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252-3
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht -
Ursprungsland -

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