TK7A90E,S4X - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer	TK7A90E,S4X
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	900V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	7A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 700µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	32nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1350pF @ 25V
Vgs (Max)	±30V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	45W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	2 Ohm @ 3.5A, 10V
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-220SIS
Paket / Fall	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
TK7A45DA(STA4,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 450V 6.5A TO-220SIS	Einzelheiten
TK7A50D(STA4,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 500V 7A TO-220SIS	Einzelheiten
TK7A55D(STA4,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 550V 7A TO-220SIS	Einzelheiten
TK7A60W,S4VX	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N CH 600V 7A TO-220SIS	Einzelheiten
TK7A60W5,S5VX	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 600V 7A TO-220SIS	Einzelheiten
TK7A65D(STA4,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 650V 7A TO-220SIS	Einzelheiten
TK7A65W,S5X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 650V 6.8A TO-220SIS	Einzelheiten
TK7A90E,S4X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 900V TO220SIS	Einzelheiten