TK7A55D(STA4,Q,M) - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer	TK7A55D(STA4,Q,M)
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	550V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	7A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.4V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	16nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	700pF @ 25V
Vgs (Max)	±30V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	35W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	1.25 Ohm @ 3.5A, 10V
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-220SIS
Paket / Fall	TO-220-3 Full Pack
Gewicht	-
Ursprungsland	-