TK6Q65W,S1Q - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer	TK6Q65W,S1Q
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	650V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	5.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 180µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	390pF @ 300V
Vgs (Max)	±30V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	60W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	1.05 Ohm @ 2.9A, 10V
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	I-Pak
Paket / Fall	TO-251-3 Stub Leads, IPak
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Bild	Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
	TK6Q60W,S1VQ	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N CH 600V 6.2A IPAK	Einzelheiten
	TK6Q65W,S1Q	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 650V 5.8A IPAK-OS	Einzelheiten