TK16A60W5,S4VX

TK16A60W5,S4VX - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer
TK16A60W5,S4VX
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SIS
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4129 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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TK16A60W5,S4VX detaillierte Beschreibung

Artikelnummer TK16A60W5,S4VX
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 15.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.7V @ 1.5mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 43nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1350pF @ 300V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft Super Junction
Verlustleistung (Max) 40W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 7.9A, 10V
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220SIS
Paket / Fall TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Gewicht -
Ursprungsland -

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