TK16A60W,S4VX - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer	TK16A60W,S4VX
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	15.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.7V @ 790µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	38nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1350pF @ 300V
Vgs (Max)	±30V
FET-Eigenschaft	Super Junction
Verlustleistung (Max)	40W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	190 mOhm @ 7.9A, 10V
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-220SIS
Paket / Fall	TO-220-3 Full Pack
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
TK16A45D(STA4,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 450V 16A TO-220SIS	Einzelheiten
TK16A55D(STA4,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 550V 16A TO-220SIS	Einzelheiten
TK16A60W,S4VX	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SIS	Einzelheiten
TK16A60W,S4X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N CH 600V 15.8ADTMOSIV	Einzelheiten
TK16A60W5,S4VX	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SIS	Einzelheiten