RN1106MFV(TL3,T) detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
RN1106MFV(TL3,T) |
Teilstatus |
Obsolete |
Transistor-Typ |
NPN - Pre-Biased |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) |
100mA |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) |
50V |
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) |
4.7k |
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) |
47k |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
80 @ 10mA, 5V |
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic |
300mV @ 500µA, 5mA |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) |
500nA |
Frequenz - Übergang |
- |
Leistung max |
150mW |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Paket / Fall |
SOT-723 |
Lieferantengerätepaket |
VESM |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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