Artikelnummer | RN1106MFV,L3F |
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Teilstatus | Active |
Transistor-Typ | NPN - Pre-Biased |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 100mA |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) | 4.7k |
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) | 47k |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 150mW |
Befestigungsart | - |
Paket / Fall | - |
Lieferantengerätepaket | - |
Gewicht | - |
Ursprungsland | - |