| Artikelnummer | 2SD2695,T6F(M |
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| Teilstatus | Last Time Buy |
| Transistor-Typ | NPN |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 2A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 60V |
| Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 1mA, 1A |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 2000 @ 1A, 2V |
| Leistung max | 900mW |
| Frequenz - Übergang | 100MHz |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| Lieferantengerätepaket | TO-92MOD |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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2SD2607 | ROHM | For Power amplification (100V, 8A) | Einzelheiten |
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