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Zuhause › Produktkategorien › Integrierte Schaltungen (ICs) › Speicher › TC58NYG1S3HBAI4
TC58NYG1S3HBAI4

TC58NYG1S3HBAI4 - Toshiba Memory America, Inc.

Artikelnummer
TC58NYG1S3HBAI4
Hersteller
Toshiba Memory America, Inc.
Kurze Beschreibung
2G NAND SLC 24NM BGA
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
TC58NYG1S3HBAI4 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Speicher
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
34410 pcs
Referenzpreis
USD 5.32/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern TC58NYG1S3HBAI4

TC58NYG1S3HBAI4 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer TC58NYG1S3HBAI4
Teilstatus Active
Speichertyp Non-Volatile
Speicherformat FLASH
Technologie FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße 2Gb (256M x 8)
Taktfrequenz -
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite 25ns
Zugriffszeit -
Speicherschnittstelle -
Spannungsversorgung 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 63-VFBGA
Lieferantengerätepaket 63-TFBGA (9x11)
Gewicht -
Ursprungsland -

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