XP151A13A0MR-G - Torex Semiconductor Ltd

Artikelnummer	XP151A13A0MR-G
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	1A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	220pF @ 10V
Vgs (Max)	±8V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	500mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 500mA, 4.5V
Betriebstemperatur	150°C (TA)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	SOT-23
Paket / Fall	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
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XP151A13	KEXIN	N-Channel Power	Einzelheiten
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