XP151A12A2MR detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
XP151A12A2MR |
Teilstatus |
Active |
FET Typ |
N-Channel |
Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
20V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
1A (Ta) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) |
2.5V, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
- |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
- |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
180pF @ 10V |
Vgs (Max) |
±12V |
FET-Eigenschaft |
- |
Verlustleistung (Max) |
500mW (Ta) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
100 mOhm @ 500mA, 4.5V |
Betriebstemperatur |
150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Lieferantengerätepaket |
SOT-23 |
Paket / Fall |
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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