S1G-JR2 - Taiwan Semiconductor Corporation

Artikelnummer	S1G-JR2
Teilstatus	Last Time Buy
Dioden-Typ	Standard
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max)	400V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)	1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If	1.1V @ 1A
Geschwindigkeit	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)	1.5µs
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr	1µA @ 400V
Kapazität @ Vr, F	12pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	DO-214AC, SMA
Lieferantengerätepaket	DO-214AC (SMA)
Betriebstemperatur - Kreuzung	-55°C ~ 175°C
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
S1G	Fairchild/ON Semiconductor	DIODE GEN PURP 400V 1A SMA	Einzelheiten
S1G M2G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC	Einzelheiten
S1G R3G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC	Einzelheiten
S1G-13	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 400V 1A SMA	Einzelheiten
S1G-13-F	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 400V 1A SMA	Einzelheiten
S1G-6904LF/11T	VISHAY	S1G-6904LF/11T VISHAY SMD or Through Hole New Original Stocks	Einzelheiten
S1G-E3	vishay	S1G-E3 vishay DO214 New Original Stocks	Einzelheiten
S1G-E3/1	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC	Einzelheiten
S1G-E3/5AT	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC	Einzelheiten
S1G-E3/61T	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC	Einzelheiten