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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Einzeln › STGW60H65DF
STGW60H65DF

STGW60H65DF - STMicroelectronics

Artikelnummer
STGW60H65DF
Hersteller
STMicroelectronics
Kurze Beschreibung
IGBT 650V 120A 360W TO247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
STGW60H65DF PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
1377 pcs
Referenzpreis
USD 9.42/pcs
Unser Preis
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STGW60H65DF detaillierte Beschreibung

Artikelnummer STGW60H65DF
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 650V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 120A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 240A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 60A
Leistung max 360W
Energie wechseln 1.5mJ (on), 1.1mJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 206nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 67ns/165ns
Testbedingung 400V, 60A, 10 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 62ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Lieferantengerätepaket TO-247
Gewicht -
Ursprungsland -

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