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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Einzeln › STGW40H65DFB
STGW40H65DFB

STGW40H65DFB - STMicroelectronics

Artikelnummer
STGW40H65DFB
Hersteller
STMicroelectronics
Kurze Beschreibung
IGBT 650V 80A 283W TO-247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
STGW40H65DFB PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
6743 pcs
Referenzpreis
USD 4.03/pcs
Unser Preis
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STGW40H65DFB detaillierte Beschreibung

Artikelnummer STGW40H65DFB
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 650V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 80A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 160A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 40A
Leistung max 283W
Energie wechseln 498µJ (on), 363µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 210nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 40ns/142ns
Testbedingung 400V, 40A, 5 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 62ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Lieferantengerätepaket TO-247
Gewicht -
Ursprungsland -

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