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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Einzeln › STGW30M65DF2
STGW30M65DF2

STGW30M65DF2 - STMicroelectronics

Artikelnummer
STGW30M65DF2
Hersteller
STMicroelectronics
Kurze Beschreibung
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
STGW30M65DF2 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
835 pcs
Referenzpreis
USD 3.55/pcs
Unser Preis
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STGW30M65DF2 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer STGW30M65DF2
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 650V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 60A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 120A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 30A
Leistung max 258W
Energie wechseln 300µJ (on), 960µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 80nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 31.6ns/115ns
Testbedingung 400V, 30A, 10 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 140ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Lieferantengerätepaket TO-247
Gewicht -
Ursprungsland -

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