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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Einzeln › STGB5H60DF
STGB5H60DF

STGB5H60DF - STMicroelectronics

Artikelnummer
STGB5H60DF
Hersteller
STMicroelectronics
Kurze Beschreibung
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
STGB5H60DF PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
2500 pcs
Referenzpreis
USD 0.6848/pcs
Unser Preis
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STGB5H60DF detaillierte Beschreibung

Artikelnummer STGB5H60DF
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 10A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 20A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 5A
Leistung max 88W
Energie wechseln 56µJ (on), 78.5µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 43nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 30ns/140ns
Testbedingung 400V, 5A, 47 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 134.5ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Lieferantengerätepaket D2PAK
Gewicht -
Ursprungsland -

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