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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Einzeln › STGB10H60DF
STGB10H60DF

STGB10H60DF - STMicroelectronics

Artikelnummer
STGB10H60DF
Hersteller
STMicroelectronics
Kurze Beschreibung
IGBT 600V 20A 115W D2PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
STGB10H60DF PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
21884 pcs
Referenzpreis
USD 1.1876/pcs
Unser Preis
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STGB10H60DF detaillierte Beschreibung

Artikelnummer STGB10H60DF
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 20A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 40A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 10A
Leistung max 115W
Energie wechseln 83µJ (on), 140µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 57nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 19.5ns/103ns
Testbedingung 400V, 10A, 10 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 107ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Lieferantengerätepaket D2PAK
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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