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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Einzeln › STGB20M65DF2
STGB20M65DF2

STGB20M65DF2 - STMicroelectronics

Artikelnummer
STGB20M65DF2
Hersteller
STMicroelectronics
Kurze Beschreibung
IGBT TRENCH 650V 40A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
STGB20M65DF2 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
19967 pcs
Referenzpreis
USD 1.2941/pcs
Unser Preis
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STGB20M65DF2 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer STGB20M65DF2
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 650V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 40A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 80A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 20A
Leistung max 166W
Energie wechseln 140µJ (on), 560µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 63nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 26ns/108ns
Testbedingung 400V, 20A, 12 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 166ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Lieferantengerätepaket D2PAK
Gewicht -
Ursprungsland -

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