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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Einzeln › STGB15M65DF2
STGB15M65DF2

STGB15M65DF2 - STMicroelectronics

Artikelnummer
STGB15M65DF2
Hersteller
STMicroelectronics
Kurze Beschreibung
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
STGB15M65DF2 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
2500 pcs
Referenzpreis
USD 1.1675/pcs
Unser Preis
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STGB15M65DF2 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer STGB15M65DF2
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 650V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 30A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 60A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 15A
Leistung max 136W
Energie wechseln 90µJ (on), 450µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 45nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 24ns/93ns
Testbedingung 400V, 15A, 12 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 142ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Lieferantengerätepaket D2PAK
Gewicht -
Ursprungsland -

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