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| Artikelnummer | SI88321BC-IS |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Technologie | Capacitive Coupling |
| Art | General Purpose |
| Isolierte Leistung | No |
| Anzahl der Kanäle | 2 |
| Eingänge - Seite 1 / Seite 2 | 1/1 |
| Kanaltyp | Unidirectional |
| Spannung - Isolation | 5000Vrms |
| Transiente Immunität im Gleichtaktmodus (Min.) | 40kV/µs |
| Datenrate | 100Mbps |
| Ausbreitungsverzögerung tpLH / tpHL (Max) | 18ns, 23ns |
| Impulsbreitenverzerrung (maximal) | 7ns |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 2.5ns, 2.5ns |
| Spannungsversorgung | 3V ~ 5.5V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 20-SOIC |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
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SI8800EDB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V MICROFOOT | Einzelheiten |
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SI8802DB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 8V MICROFOOT | Einzelheiten |
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SI8805EDB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 8V MICROFOOT | Einzelheiten |
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SI8806DB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 12V MICROFOOT | Einzelheiten |
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SI8808DB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V MICROFOOT | Einzelheiten |
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SI8809EDB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 1.9A MICROFOOT | Einzelheiten |
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SI8810EDB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT | Einzelheiten |
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SI8812DB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V MICROFOOT | Einzelheiten |
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SI8816EDB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V MICRO FOOT | Einzelheiten |
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SI8817DB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V MICROFOOT | Einzelheiten |
