SI8806DB-T2-E1 detaillierte Beschreibung
| Artikelnummer |
SI8806DB-T2-E1 |
| Teilstatus |
Active |
| FET Typ |
N-Channel |
| Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
12V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
- |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) |
1.8V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
1V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
17nC @ 8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
- |
| Vgs (Max) |
±8V |
| FET-Eigenschaft |
- |
| Verlustleistung (Max) |
500mW (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
43 mOhm @ 1A, 4.5V |
| Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart |
Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket |
4-Microfoot |
| Paket / Fall |
4-XFBGA |
| Gewicht |
- |
| Ursprungsland |
- |
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