| Artikelnummer | IPBD-02-S |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Verbindungstyp | Receptacle |
| kontaktart | Female Socket |
| Anzahl der Positionen | 2 |
| Tonhöhe | 0.165" (4.20mm) |
| Anzahl der Reihen | 1 |
| Zeilenabstand | - |
| Befestigungsart | Latch Lock |
| Kontakt Kündigung | Crimp |
| Farbe | - |
| Eigenschaften | - |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
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IPB009N03L G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7 | Einzelheiten |
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IPB009N03LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7 | Einzelheiten |
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IPB010N06NATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 45A TO263-7 | Einzelheiten |
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IPB011N04L G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 | Einzelheiten |
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IPB011N04LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 | Einzelheiten |
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IPB011N04NGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 | Einzelheiten |
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IPB014N06NATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 34A TO263-7 | Einzelheiten |
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IPB015N04L G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3 | Einzelheiten |
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IPB015N04LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3 | Einzelheiten |
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IPB015N04N G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3 | Einzelheiten |
