R8005ANX

R8005ANX - Rohm Semiconductor

Artikelnummer
R8005ANX
Hersteller
Rohm Semiconductor
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 5A TO220
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
14544 pcs
Referenzpreis
USD 1.79/pcs
Unser Preis
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R8005ANX detaillierte Beschreibung

Artikelnummer R8005ANX
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 800V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 5A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 485pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 40W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 2.08 Ohm @ 2.5A, 10V
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220FM
Paket / Fall TO-220-2 Full Pack
Gewicht -
Ursprungsland -

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