Artikelnummer | HS8K11TB |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 7A, 11A |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 17.9 mOhm @ 7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 11.1nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 500pF @ 15V |
Leistung max | 2W |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-UDFN Exposed Pad |
Lieferantengerätepaket | HSML3030L10 |
Gewicht | - |
Ursprungsland | - |