Artikelnummer | EMZ51T2R |
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Teilstatus | Active |
Transistor-Typ | NPN, PNP |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 200mA |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 20V |
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 6V |
Leistung max | 150mW |
Frequenz - Übergang | 400MHz, 350MHz |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | SOT-563, SOT-666 |
Lieferantengerätepaket | EMT6 |
Gewicht | - |
Ursprungsland | - |