EMZ1DXV6T1G detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
EMZ1DXV6T1G |
Teilstatus |
Obsolete |
Transistor-Typ |
NPN, PNP |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) |
100mA |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) |
60V |
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic |
400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) |
500nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
120 @ 1mA, 6V |
Leistung max |
500mW |
Frequenz - Übergang |
180MHz, 140MHz |
Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Paket / Fall |
SOT-563, SOT-666 |
Lieferantengerätepaket |
SOT-563 |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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