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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, mit Vorspannung › EMG4T2R
EMG4T2R

EMG4T2R - Rohm Semiconductor

Artikelnummer
EMG4T2R
Hersteller
Rohm Semiconductor
Kurze Beschreibung
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
EMG4T2R PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
EMG4T2R.pdf
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, mit Vorspannung
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
268369 pcs
Referenzpreis
USD 0.0969/pcs
Unser Preis
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EMG4T2R detaillierte Beschreibung

Artikelnummer EMG4T2R
Teilstatus Active
Transistor-Typ 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 10k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) -
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) -
Frequenz - Übergang 250MHz
Leistung max 150mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Lieferantengerätepaket EMT5
Gewicht -
Ursprungsland -

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