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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Einzeln › RJP60F5DPK-01#T0
RJP60F5DPK-01#T0

RJP60F5DPK-01#T0 - Renesas Electronics America

Artikelnummer
RJP60F5DPK-01#T0
Hersteller
Renesas Electronics America
Kurze Beschreibung
IGBT 600V 80A 260.4W
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
RJP60F5DPK-01#T0 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
462 pcs
Referenzpreis
USD 4.07/pcs
Unser Preis
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RJP60F5DPK-01#T0 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer RJP60F5DPK-01#T0
Teilstatus Active
IGBT-Typ -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 80A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 160A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 40A
Leistung max 260.4W
Energie wechseln -
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 74nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 53ns/90ns
Testbedingung 400V, 30A, 5 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) -
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3
Lieferantengerätepaket TO-3P
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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