• Deutschl
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Einzeln › RJP60F0DPM-00#T1
RJP60F0DPM-00#T1

RJP60F0DPM-00#T1 - Renesas Electronics America

Artikelnummer
RJP60F0DPM-00#T1
Hersteller
Renesas Electronics America
Kurze Beschreibung
IGBT 600V 50A 40W TO-3PFM
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
RJP60F0DPM-00#T1 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
230 pcs
Referenzpreis
USD 4.12/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern RJP60F0DPM-00#T1

RJP60F0DPM-00#T1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer RJP60F0DPM-00#T1
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 50A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) -
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 1.82V @ 15V, 25A
Leistung max 40W
Energie wechseln -
Eingabetyp Standard
Gate Ladung -
Td (ein / aus) bei 25 ° C 46ns/70ns
Testbedingung 400V, 30A, 5 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) -
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-3PFM, SC-93-3
Lieferantengerätepaket TO-3PFM
Gewicht -
Ursprungsland -

VERWANDTE PRODUKTE FÜR RJP60F0DPM-00#T1

Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
RJP60F0DPE-00#J3 RJP60F0DPE-00#J3 Renesas Electronics America IGBT 600V 50A 122W LDPAK Einzelheiten
RJP60F0DPM-00#T1 RJP60F0DPM-00#T1 Renesas Electronics America IGBT 600V 50A 40W TO-3PFM Einzelheiten
RJP60F4DPM-00#T1 RJP60F4DPM-00#T1 Renesas Electronics America IGBT 600V 60A 41.2W TO-3PFM Einzelheiten
RJP60F5DPK-01#T0 RJP60F5DPK-01#T0 Renesas Electronics America IGBT 600V 80A 260.4W Einzelheiten
RJP60F5DPM-00#T1 RJP60F5DPM-00#T1 Renesas Electronics America IGBT 600V 80A 45W TO-3PFM Einzelheiten