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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Einzeln › RJH65T46DPQ-A0#T0
RJH65T46DPQ-A0#T0

RJH65T46DPQ-A0#T0 - Renesas Electronics America

Artikelnummer
RJH65T46DPQ-A0#T0
Hersteller
Renesas Electronics America
Kurze Beschreibung
IGBT TRENCH 650V 80A TO247A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
RJH65T46DPQ-A0#T0 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4139 pcs
Referenzpreis
USD 6.53/pcs
Unser Preis
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RJH65T46DPQ-A0#T0 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer RJH65T46DPQ-A0#T0
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 650V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 80A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) -
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 40A
Leistung max 340.9W
Energie wechseln 450µJ (on), 550µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 138nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 45ns/170ns
Testbedingung 400V, 40A, 10 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 100ns
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Lieferantengerätepaket TO-247A
Gewicht -
Ursprungsland -

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