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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Einzeln › RJH65T14DPQ-A0#T0
RJH65T14DPQ-A0#T0

RJH65T14DPQ-A0#T0 - Renesas Electronics America

Artikelnummer
RJH65T14DPQ-A0#T0
Hersteller
Renesas Electronics America
Kurze Beschreibung
IGBT TRENCH 650V 100A TO247A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
RJH65T14DPQ-A0#T0 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4695 pcs
Referenzpreis
USD 5.57/pcs
Unser Preis
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RJH65T14DPQ-A0#T0 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer RJH65T14DPQ-A0#T0
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 650V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) -
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 1.75V @ 15V, 50A
Leistung max 250W
Energie wechseln 1.3mJ (on), 1.2mJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 80nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 38ns/125ns
Testbedingung 400V, 50A, 10 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 250ns
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Lieferantengerätepaket TO-247A
Gewicht -
Ursprungsland -

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