NVMD6P02R2G detaillierte Beschreibung
| Artikelnummer |
NVMD6P02R2G |
| Teilstatus |
Active |
| FET Typ |
2 P-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft |
Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
4.8A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
33 mOhm @ 6.2A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
1.2V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
35nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
1700pF @ 16V |
| Leistung max |
750mW |
| Betriebstemperatur |
- |
| Befestigungsart |
Surface Mount |
| Paket / Fall |
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket |
8-SOIC |
| Gewicht |
- |
| Ursprungsland |
- |
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