NVMD6N04R2G detaillierte Beschreibung
| Artikelnummer |
NVMD6N04R2G |
| Teilstatus |
Active |
| FET Typ |
2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft |
Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
40V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
4.6A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
34 mOhm @ 5.8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
3V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
30nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
900pF @ 32V |
| Leistung max |
1.29W |
| Betriebstemperatur |
- |
| Befestigungsart |
Surface Mount |
| Paket / Fall |
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket |
8-SOIC |
| Gewicht |
- |
| Ursprungsland |
- |
VERWANDTE PRODUKTE FÜR NVMD6N04R2G
