NTMFD4C86NT1G detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
NTMFD4C86NT1G |
Teilstatus |
Active |
FET Typ |
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
FET-Eigenschaft |
Standard |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
30V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
11.3A, 18.1A |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
5.4 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
2.2V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
22.2nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
1153pF @ 15V |
Leistung max |
1.1W |
Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Paket / Fall |
8-PowerTDFN |
Lieferantengerätepaket |
8-DFN (5x6) |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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