NTMFD4C20NT1G - ON Semiconductor

Artikelnummer	NTMFD4C20NT1G
Teilstatus	Active
FET Typ	2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft	Standard
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	9.1A, 13.7A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	7.3 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.1V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	9.3nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	970pF @ 15V
Leistung max	1.09W, 1.15W
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	8-PowerTDFN
Lieferantengerätepaket	8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
NTMFD4901NFT1G	ON Semiconductor	MOSFET 2N-CH 30V 8DFN	Einzelheiten
NTMFD4901NFT3G	ON Semiconductor	MOSFET 2N-CH 30V 8DFN	Einzelheiten
NTMFD4902NFT1G	ON Semiconductor	MOSFET 2N-CH 30V 8DFN	Einzelheiten
NTMFD4902NFT3G	ON Semiconductor	MOSFET 2N-CH 30V 8DFN	Einzelheiten
NTMFD4951NFT1G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 30V 10.8A SO8FL	Einzelheiten
NTMFD4951NFT3G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 30V 10.8A SO8FL	Einzelheiten
NTMFD4952NFT1G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 30V 10.8A SO8FL	Einzelheiten
NTMFD4952NFT3G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 30V 10.8A SO8FL	Einzelheiten
NTMFD4C20NT1G	ON Semiconductor	MOSFET 2N-CH 30V SO8FL	Einzelheiten
NTMFD4C20NT3G	ON Semiconductor	MOSFET 2N-CH 30V SO8FL	Einzelheiten