NTMD6601NR2G detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
NTMD6601NR2G |
Teilstatus |
Obsolete |
FET Typ |
2 N-Channel (Dual) |
FET-Eigenschaft |
Logic Level Gate |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
80V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
1.1A |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
215 mOhm @ 2.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
3V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
15nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
400pF @ 25V |
Leistung max |
600mW |
Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Paket / Fall |
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Lieferantengerätepaket |
8-SOIC |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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