NTMD3P03R2G detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
NTMD3P03R2G |
Teilstatus |
Active |
FET Typ |
2 P-Channel (Dual) |
FET-Eigenschaft |
Logic Level Gate |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
30V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
2.34A |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
85 mOhm @ 3.05A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
2.5V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
25nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
750pF @ 24V |
Leistung max |
730mW |
Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Paket / Fall |
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Lieferantengerätepaket |
8-SOIC |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
VERWANDTE PRODUKTE FÜR NTMD3P03R2G