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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays › NSVEMX1DXV6T1G
NSVEMX1DXV6T1G

NSVEMX1DXV6T1G - ON Semiconductor

Artikelnummer
NSVEMX1DXV6T1G
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT563
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
NSVEMX1DXV6T1G PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
238640 pcs
Referenzpreis
USD 0.1074/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

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NSVEMX1DXV6T1G detaillierte Beschreibung

Artikelnummer NSVEMX1DXV6T1G
Teilstatus Active
Transistor-Typ 2 NPN (Dual)
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 50mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 500nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 6V
Leistung max 500mW
Frequenz - Übergang 180MHz
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SOT-563, SOT-666
Lieferantengerätepaket SOT-563
Gewicht -
Ursprungsland -

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