NSVEMC2DXV5T1G detaillierte Beschreibung
| Artikelnummer |
NSVEMC2DXV5T1G |
| Teilstatus |
Active |
| Transistor-Typ |
1 NPN, 1 PNP - Pre - Biased (Base-Collector Junction) |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) |
100mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) |
50V |
| Widerstand - Basis (R1) (Ohm) |
22k |
| Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) |
22k |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
60 @ 5mA, 10V |
| Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic |
250mV @ 300µA, 10mA |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) |
500nA |
| Frequenz - Übergang |
- |
| Leistung max |
500mW |
| Befestigungsart |
Surface Mount |
| Paket / Fall |
SOT-553 |
| Lieferantengerätepaket |
SOT-553 |
| Gewicht |
- |
| Ursprungsland |
- |
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