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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung › NSVDTC123JM3T5G
NSVDTC123JM3T5G

NSVDTC123JM3T5G - ON Semiconductor

Artikelnummer
NSVDTC123JM3T5G
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
SOT-723 BIAS RESISTOR
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
NSVDTC123JM3T5G PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
3099010 pcs
Referenzpreis
USD 0.05313/pcs
Unser Preis
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NSVDTC123JM3T5G detaillierte Beschreibung

Artikelnummer NSVDTC123JM3T5G
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 500nA
Frequenz - Übergang -
Leistung max 260mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SOT-723
Lieferantengerätepaket SOT-723
Gewicht -
Ursprungsland -

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