NSS40301MDR2G detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
NSS40301MDR2G |
Teilstatus |
Active |
Transistor-Typ |
2 NPN (Dual) |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) |
3A |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) |
40V |
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic |
115mV @ 200mA, 2A |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) |
100nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
180 @ 1A, 2V |
Leistung max |
653mW |
Frequenz - Übergang |
100MHz |
Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Paket / Fall |
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Lieferantengerätepaket |
8-SOIC |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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