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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln › NSS40200UW6T1G
NSS40200UW6T1G

NSS40200UW6T1G - ON Semiconductor

Artikelnummer
NSS40200UW6T1G
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
TRANS PNP 40V 2A 6-WDFN
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
NSS40200UW6T1G PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
83058 pcs
Referenzpreis
USD 0.3124/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern NSS40200UW6T1G

NSS40200UW6T1G detaillierte Beschreibung

Artikelnummer NSS40200UW6T1G
Teilstatus Active
Transistor-Typ PNP
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 2A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 40V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 20mA, 2A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 150 @ 1A, 2V
Leistung max 875mW
Frequenz - Übergang 140MHz
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 6-WDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket 6-WDFN (2x2)
Gewicht -
Ursprungsland -

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