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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung › NSBA143EF3T5G
NSBA143EF3T5G

NSBA143EF3T5G - ON Semiconductor

Artikelnummer
NSBA143EF3T5G
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
NSBA143EF3T5G PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
273464 pcs
Referenzpreis
USD 0.0977/pcs
Unser Preis
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NSBA143EF3T5G detaillierte Beschreibung

Artikelnummer NSBA143EF3T5G
Teilstatus Active
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 4.7k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) 4.7k
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 15 @ 5mA, 10V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 500nA
Frequenz - Übergang -
Leistung max 254mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SOT-1123
Lieferantengerätepaket SOT-1123
Gewicht -
Ursprungsland -

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