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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, mit Vorspannung › NSBA113EDXV6T1G
NSBA113EDXV6T1G

NSBA113EDXV6T1G - ON Semiconductor

Artikelnummer
NSBA113EDXV6T1G
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT563
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
NSBA113EDXV6T1G PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, mit Vorspannung
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
267041 pcs
Referenzpreis
USD 0.0977/pcs
Unser Preis
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NSBA113EDXV6T1G detaillierte Beschreibung

Artikelnummer NSBA113EDXV6T1G
Teilstatus Active
Transistor-Typ 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 1k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) 1k
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 3 @ 5mA, 10V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 10mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 500nA
Frequenz - Übergang -
Leistung max 250mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket SC-88/SC70-6/SOT-363
Gewicht -
Ursprungsland -

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