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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Einzeln › NGTB60N60SWG
NGTB60N60SWG

NGTB60N60SWG - ON Semiconductor

Artikelnummer
NGTB60N60SWG
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
IGBT 600V 120A 298W TO247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
NGTB60N60SWG PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
5444 pcs
Referenzpreis
USD 4.914/pcs
Unser Preis
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NGTB60N60SWG detaillierte Beschreibung

Artikelnummer NGTB60N60SWG
Teilstatus Not For New Designs
IGBT-Typ Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 120A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 240A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 60A
Leistung max 298W
Energie wechseln 1.41mJ (on), 600µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 173nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 87ns/180ns
Testbedingung 400V, 60A, 10 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 76ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Lieferantengerätepaket TO-247
Gewicht -
Ursprungsland -

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