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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Einzeln › NGTB15N120IHRWG
NGTB15N120IHRWG

NGTB15N120IHRWG - ON Semiconductor

Artikelnummer
NGTB15N120IHRWG
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
IGBT 1200V 15A TO247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
NGTB15N120IHRWG PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
1875 pcs
Referenzpreis
USD 2.7232/pcs
Unser Preis
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NGTB15N120IHRWG detaillierte Beschreibung

Artikelnummer NGTB15N120IHRWG
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 30A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 60A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 15A
Leistung max 333W
Energie wechseln 340µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 160nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C -/170ns
Testbedingung 600V, 15A, 10 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) -
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Lieferantengerätepaket TO-247
Gewicht -
Ursprungsland -

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