NDF05N50ZG - ON Semiconductor

Artikelnummer	NDF05N50ZG
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	500V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	5.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 50µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	28nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	632pF @ 25V
Vgs (Max)	±30V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	30W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	1.5 Ohm @ 2.2A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-220FP
Paket / Fall	TO-220-3 Full Pack
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
NDF02N60ZG	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 2.4A TO220FP	Einzelheiten
NDF02N60ZH	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 2.4A TO220FP	Einzelheiten
NDF03N60ZG	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 3.1A TO220FP	Einzelheiten
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NDF04N60ZG	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 4.8A TO-220FP	Einzelheiten
NDF04N60ZG-001	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 4.8A TO-220FP	Einzelheiten
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NDF05N50ZG	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 500V TO-220FP	Einzelheiten
NDF05N50ZH	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 500V 5.5A TO-220FP	Einzelheiten